Micron leva o armazenamento UFS 4.0 para o próximo nível

A Micron é um dos maiores fornecedores de memória e armazenamento do mundo e, mesmo que você ainda não tenha conhecido a marca, há uma boa chance de já ter usado um de seus produtos. Embora a Micron seja especializada em SSDs externos e unidades M.2, que vende aos clientes sob a marca Crucial, a Micron também investe pesadamente em tecnologia móvel, e seus mais recentes módulos de armazenamento UFS 4.0 ilustram bem isso.

No Mobile World Congress, a Micron anunciou uma nova versão de seu módulo de armazenamento UFS 4.0, que usa memória 3D NAND de 232 camadas, e o ponto principal é que o tamanho do módulo é de apenas 9×13 milímetros, tornando-o um dos menores até agora. O espaço do telefone é escasso, portanto, qualquer avanço nesta área é sempre uma vitória, e a Micron pretende fornecer exatamente isso com seu mais recente módulo de armazenamento.

O que é particularmente interessante é que a vitória do design da Micron já está garantida; A marca anunciou que seu módulo de armazenamento UFS 4.0 e RAM LPDDR5X são usados ​​na série Galaxy S24 e no Honor Magic 6 Pro, e isso é muito importante. Sabe-se que a Samsung usa hardware duplo em seus telefones – está voltando a usar Exynos em alguns mercados – e da mesma forma está usando módulos de armazenamento DRAM e Micron em alguns dispositivos. Se eu tivesse que arriscar um palpite, os modelos baseados em Exynos possuem módulos Micron e a variante Qualcomm usa um fornecedor diferente, provavelmente Samsung LSI.

Apesar disso, a Micron está claramente posicionando o módulo de armazenamento UFS 4.0 como a escolha padrão para telefones habilitados para IA, e não é difícil entender por quê – ele atinge uma leitura sequencial insana de 4.300 MB/s e uma leitura sequencial de 4.000 MB/s. gravação sequencial, tornando-a uma das mais rápidas do setor.

Mas são as leituras e gravações aleatórias que fazem a diferença, e o módulo de armazenamento oferece um aumento de mais de 30% em relação ao UFS 3.1. Como observei em meu guia UFS 4.0, leitura/gravação mais rápida anda de mãos dadas com maior eficiência, já que o módulo não precisa estar ativo por longos períodos de tempo e o consumo de energia está na extremidade inferior do espectro. armazenamento escalável, cada pedacinho conta.

Além disso, há uma série de recursos personalizados que a Micron está implementando em seu módulo mais recente. O modo de alto desempenho foi projetado para otimizar o desempenho sob cargas de trabalho pesadas, proporcionando um aumento de velocidade de até 25% em relação a um módulo UFS 3.1 com NAND de 176 camadas.

A atualização com um botão foi projetada para garantir que o potencial de desempenho não diminua com o tempo, otimizando os dados. Não é um botão que você precisa pressionar; é um processo automático que ocorre em intervalos regulares para manter seu telefone funcionando como novo. Há também um recurso chamado Zoned UFS, que aloca zonas para armazenamento de dados específicos, como fotos e documentos. A Micron está disponibilizando o módulo de armazenamento UFS 4.0 em capacidades de 256 GB, 512 GB e 1 TB.

A IA no dispositivo requer memória e armazenamento rápidos, juntamente com um conjunto dedicado de chips neurais, e os fabricantes de dispositivos estão reconhecendo esse fato. Google, Samsung e Honor oferecem atualmente recursos dedicados de IA em seus telefones, e cada marca tem uma perspectiva única nesta área. Gosto do que o Google está fazendo com a série Pixel 8, pois, em última análise, me permite tirar fotos e vídeos melhores, e estou intrigado com a oportunidade de usar o Portal Mágico da Honor e ver como ele se comporta em testes do mundo real.

O UFS 5.0 está chegando e mal posso esperar para ver como o armazenamento móvel mudará nos próximos 18 meses. Por enquanto, porém, o UFS 4.0 ainda é a melhor escolha para qualquer fabricante de dispositivos que queira oferecer recursos diferenciados, e os módulos de armazenamento mais recentes da Micron se beneficiam de um design menor e adições exclusivas.